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【2h】

Improvement of reliability and speed of phase change memory devices with N7.9(Ge46.9Bi7.2Te45.9) films

机译：使用N7.9（Ge46.9Bi7.2Te45.9）薄膜改善相变存储器件的可靠性和速度

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J. H. Park; S.-W. Kim; J. H. Kim; D.-H. Ko; Z. Wu; S. L. Cho; D. Ahn; D. H. Ahn; J. M. Lee; S. W. Nam;
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年度 2015
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